作者：微谱 服务热线：4007003890
碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种化合物，有六方或菱面体的α-碳化硅和立方体型的β-碳化硅两种晶体结构。它具有硬度高（莫氏硬度约为9.2-9.8）、化学性质稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等特点。在电子领域，它是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想半导体材料；在磨料磨具行业，因其高硬度常被制成砂轮、砂纸等磨削工具；在冶金工业中，可作为脱氧剂和耐高温材料使用；在陶瓷领域，能用于制造碳化硅陶瓷，提升产品的性能。
1.化学成分分析：检测碳化硅中SiC含量、游离碳、金属杂质（如Fe、Al）等
2.物理性能测试：包括密度、硬度、导热性、电阻率等
3.微观结构分析：通过显微镜或电子显微镜观察晶粒大小、孔隙率等
4.机械性能测试：如抗弯强度、断裂韧性、耐磨性等
5.热性能测试：热膨胀系数、热导率、高温稳定性等
GB/T37254-2018《高纯碳化硅微量元素的测定》
GB/T18773-2002《碳化硅材料试验方法》
GB/T3687-2011《碳化硅耐火材料的检测方法》
ISO13356-2015《碳化硅粉末的化学分析方法》
GB/T2480-2022《普通磨料碳化硅》
ISO9072-3:2001《碳化硅粉末颗粒尺寸分析方法》
1.ICP-OES（感应耦合等离子体发射光谱）：可以同时检测多种元素，常用于碳化硅的成分分析。
2.氢氟酸挥散重量法：通过氢氟酸处理试样，测定游离碳含量。
3.电学性能测试：通过测量碳化硅的电阻率、载流子浓度和击穿电压等参数，评估其作为半导体材料的性能，通常使用霍尔效应测试法、四探针法等。
4.拉曼光谱法：通过激光与样品的相互作用，拉曼光谱可以获得材料的晶体缺陷信息以及分子振动特征，进而分析碳化硅质量和结构。
5.X射线衍射（XRD）法：用于分析碳化硅的晶体结构和晶格常数，通过比较衍射图谱与标准数据库，可以判断碳化硅的晶体质量。
随着碳化硅在新能源、电子、半导体等领域的应用不断拓展，其质量检测的重要性愈发凸显。微谱分析检测机构在碳化硅检测领域拥有多年实践经验，已形成了一套成熟的检测流程与方法。可以能够运用ICP-OES、氢氟酸挥散重量法等多种专业检测手段，对碳化硅的化学成分、物理性能、微观结构等多个方面进行高效、精准检测。